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加州大学黑科技:激光使电子设备不再依赖半导体材料

   2017-06-26 锂电世界014410
核心提示:美国加州大学圣地亚哥分校科学家开发了一种新式微电子设备,将来PC中由半导体资料制作的处理器也许被取而代之。
    美国加州大学圣地亚哥分校科学家开发了一种新式微电子设备,将来PC中由半导体资料制作的处理器也许被取而代之。
    这一新技能还处于前期的开发期间,但它牵涉一些风趣的研究和颇具科幻颜色的概念。加州大学圣地亚哥分校工程师开发了一种由光操控的微电子设备,其间包括由金纳米管构成的超颖外表。遭到激光照耀后,超颖外表能发生高强度电场。
    这种不采用半导体资料的新式微电子设备,有朝一日将处理现代微处理器所面对的一个难题。处理器依托电子搬迁正常运转,疑问是,这些电子会不断与原子磕碰,其间很多电子也许搬迁不到它们的目的地——在处理器运转过程中,很多电子损耗了。
    这种新式微电子设备经过“仿照”旧式真空管——当然是在微尺度上,测验处理这一疑问。设备中的蘑菇形状纳米管,在硅晶圆上构成超颖外表,两者用二氧化硅层离隔。当施加低直流电压、照耀低能量红外激光时,这一构造就能够发生高强度电场,使电子能“自由”搬迁。
    这种试验性技能能一次性使更多电子遭到操控,遭到更少干扰,这意味着采用这一技能制作的处理器性能将超越当时根据半导体资料的处理器。这一技能被应用在智能手机中还需要适当长一段时间,但它是处理现代电子设备面对的一个简直无解疑问的风趣概念和路径。
 
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