美国的研究人员合成了一种直接带隙同素异形体的新型硅材料

美国的研究人员合成了一种直接带隙同素异形体的新型硅材料。它结合了如砷化镓的吸光能力和传统硅材料的加工优势，可能使太阳能电池和发光设备发生彻底变革。目前的合成流程长且昂贵，但研究人员认为这项技术能够解决这个问题。

　通过加热赶走钠原子，形成新的正交硅结构

　硅材料是电子工业的支柱，但是通常的金刚石立方结构同素异形体具有间接带隙。这意味着电子不能通过吸收或发射光子的形式在价带和导带间来回穿越，它们还需要声子来节省动力。这降低了硅材料的吸收和发射光的效率。硅太阳能电池需要厚的硅晶片以吸收足够的光，而LED则需要更昂贵的材料，如砷化镓，有毒且易分解。

　硅的四面体键结构促使其具有多种假想亚稳态结构，其中多个具有比基态略高的能量。在高压环境下，能够观察到多个结构，其中四个在环境条件下是动态稳定的。在2013年，华盛顿卡内基研究的Timothy Strobel和 他的同事发现了Na4Si24。现在，他们发现，在真空下将Na4Si24加热至400K，逐渐赶走钠原子，得到了一种正交同素异形体的新型硅结构。理论计算和实验表明，该材料在750K和10GPa下稳定存在，并且具有约1.3eV的直接带隙，是一种理想的光伏电池材料。